Разработка китайской 3D NAND идёт с опережением графика»
Тайваньский интернет-ресурс DigiTimes со ссылкой на индустриальные источники сообщает, что китайская компания Yangtze River Storage Technology (YMTC) справилась с разработкой 32-слойной флеш-памяти 3D NAND раньше запланированного срока. Пусть это произошло всего на два месяца раньше установленного, но это всё равно достижение. Фактически к созданию «национальной» многослойной NAND компания YMTC приступила летом 2016 года, когда была образована в виде СП между компаниями Tsinghua Unigroup и Wuhan Xinxin Semiconductor. И двух лет не прошло, как YMTC выпустила образцы, создала на их основе SSD-накопители и подтвердила заявленные характеристики конечных изделий.
В основе разработки китайской 3D NAND лежит SLC-ячейка, запатентованная американо-японской компанией Spansion. Незадолго до создания СП YMTC компания Wuhan Xinxin Semiconductor лицензировала технологию производства NAND-памяти у Spansion и начала с помощью её инженеров проектировать 3D NAND, к процессу создания которой позже присоединилась Tsinghua Unigroup, чему помогла значительным объёмом денег. Вскоре после этого СП начало строить завод для производства 3D NAND в Китае. Первая очередь цехов построена и сейчас принимает промышленное оборудование. Опытное производство на линиях СП YMTC стартует во втором квартале 2018 года с массовым выпуском решений после снижения уровня брака до допустимых пределов (обычно это 5–8 %).
Завершение разработки 32-слойной 3D NAND открывает путь к следующему шагу — к созданию 64-слойной флеш-памяти. Согласно планам, 64-слойная 3D NAND должна быть готова к производству в 2019 году и, по всей видимости, должна попасть в массовое производство в 2020 году. Лидеры отрасли — компании Samsung, SK Hynix и Micron — перешли на массовый выпуск 64-слойной памяти 3D NAND в основном с началом второй половины текущего года. Тем самым китайцы отстанут от них по технологичности на срок порядка двух лет. Если учесть, что многое ими сделано почти что с нуля, то есть чему удивиться, а кому-то — испугаться.
